LED与激光二极管服务
满足您需求的全面定制解决方案

PARC 集合了世界一流的技术专长,全集成化的现场开发与样机研究 基础设施,以及通过使用商业化 的MOCVD(金属有机化学气相淀 积)外延生长设备进行材料生长技术的研发, 具备将制造工艺转化为大 规模生产系统的能力.

超过 35 年历史 , 300 多篇出版文献 , 300 多项已授权/申请中的专利 , III-V 族化合物半导体 (如 GaN), 红外线 (IR)、可见光、紫外线 (UV)

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概述:

在多样化应用的驱动下,LED 和激光二极管 (LD) 的市场将继续显著地增长,这些应用包括显示 器、标牌、照明、材料处理、紫外线固化、净 化、公共卫生、激光打印、图像扫描、数据记 录、生物技术以及医药等领域。因此,从材料到 半导体领域的各家公司都希望建立新的 LED 或 LD 业务,或扩展其当前的产品组合。然而,在 竞争日益激烈的环境中,只有那些能更好地管理 风险并更快地进入市场的公司才会成功。

PARC 解决方案

作为 LED 和 LD 领域公认的世界领先企 业,PARC 能为其合作伙伴带来如下优势:

• 低成本
• 创造与众不同的产品或为当前产品增值
• 探索改善器件性能的方法
• 将制备工艺与样机转化为大规模生产能力
• 获得器件方面的技术与专长
• 将企业内部资源与外部资源结合起来以加快
• 只需与一家合作伙伴(即 PARC)协作即可

客户可以获益于 PARC 的现场的、全集成化的、 完整的基础设施、技能以及经验。我们的产品和 服务范围非常广泛,其中包括:

• 材料生长: 可扩展为大规模生产能力的配 方、材料和异质结构的优化
• 器件:完整的制造工艺和样机的研究和开 发、先进的测试系统、模拟、设计、测试、 理论计算
• 衬底与材料:评估和基准测试(epi 测试器 件)、理论计算
• 专长:个性化的操作演示与专门技术的转 让,对器件、材料生长以及制造工艺方面所 面临的挑战的分析
• 技术转让:全新的或现有的技
• 用户的特别需求

PARC 所提供的产品和服务是建立在一支世界一 流的团队、丰富的创新技术经验以及全集成化的 现场基础设施之上。

位于最前沿

PARC 几十年来一直处于本领域的最前沿,并将 继续保持领先地位。我们率先创造了许多开创性 的成果(部分成果见下),从而积累了深厚的专 业知识以及切实可行的创新方法,足以满足用户 的各种需要。

1. GaN 材料中的位错与扩展缺陷的结构和 电学特性
2. InGaN 多量子阱 (MQW) 激光二极管( 日本外首创)
3. GaN 材料表面结构和表面活性剂理论
4. DFB InGaN 激光二极管
5. 通过激光剥离将 InGaN 多量子阱激光二 极管转移至铜衬底上
6. 具有集成电吸收调制器的 Q 开关双区InGaN 激光二极管
7. AlGaN 多量子阱紫外激光二极管
8. 氮化铝块衬底上的激光二极管
9. 使用银和 ITO作限制层的氮化物半导体激光二极管
10. 在AIN衬底上生长的波长短至267 nm 的 光学泵浦AlGaN 多量子阱激光器

创新的实施:从概念到市场

PARC 已经成功地将这些最先进的成果和能力 应用于为商业客户开发 LED 和 LD 的实践中。 我们与客户之间的一项最新合作是与 DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 达成的,这家 半导体材料公司寻求进入基于 UV-A LED 的新业 务领域。通过与 PARC 密切合作(而不是仅局 限于知识产权的授权),DOWA 迅速获得了有 关 UV-A LED 的专业知识、样机和技术。在与我 们仅仅合作九个月后,他们就公开发布了其首批 基于 UV-A LED 的产品。此外,与 PARC 的特别 的合作关系使 DOWA 增强了其内部研发部门在 UV-A LED 方面的研发能力,使得该企业能够持 续发展并不断推进该项新业务。

付诸行动

如果贵公司希望有效地建立 LED 或 LD 新业务、 扩展产品组合或为当前产品增值,请立即与 PARC 联系。

engage@parc.com

PARC内部完整的基础设施和能力 — 实例
材料生长 广泛使用的Aixtron CCS® MOCVD 外延生长 系统 定制的 MOCVD外延生长系统具有接近大气压 的高压生长能力以实现高氨气分压	器件的制备与样机研究 干法腐蚀(化学辅助离子束腐蚀 (CAIBE) 与传统等 离子腐蚀) 等离子增强化学气相淀积 (PE-CVD)制备电介质膜 用于制备金属或高反射率镀膜的热力/电子束/溅射淀积设备,以及光刻设备 光学镀膜(如 DBR、AR) 激光器和 LED器件的模拟设计(如能带结构工程、增益计算和热学模拟
测试技术 材料测试:XRD、TEM、可变温度 PL、AFM、SEM、霍耳效应、EL 器件测试:I-V、L-I、脉冲偏压测试、发射光 谱、远场图形、寿命、电光转换效率、光学增 益测量以及电吸收光谱 更先进测试:LED 性能指标(如 IQE)、自动 L-I-V 列阵测试(模式、高分辨率光谱)、光学 泵浦激光器	理论计算研究 基本材料特性(如氮化物半导体的缺陷和杂质) 激光器和 LED 异质结构的模拟设计(如能带结构工程、增益计算和热学模拟)