LED 和雷射二極體服務
全方位的客製解決方案將符合您的需求

PARC 的卓越,結合了世界級技術專業、全面整合的實地開發與原型製 作基礎架構,並有能力開發商用 MOCVD 反應器內的新參數,將之迅 速轉換為大量全線生產系統

超過 35 年的經驗, 超過 300 部出版文獻, 超過 300 項 已核發 / 申請中的專利, III-V 族化合物 (如 GaN), 紅外光、可見光、紫外光

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總覽

在顯示器、看板、照明、材料加工、紫外線固 化、淨化、衛生、雷射列印、影像掃描、資料記 錄、生物科技和醫學等眾多應用的帶動下,LED 和雷射二極體 (LD) 的市場將持續大幅成長。因 此,從材料業到半導體業的眾家公司,都希望建 立新的 LED 或 LD 業務,或擴展現有產品樣式。 但在目前日趨競爭的環境下,能夠真正成功的公 司必須有過人的風險管理與迅速上市能力。

PARC 解決方案

所幸,與在 LED 和 LD 領域著名的世界領導廠商 PARC 建立合作夥伴關係,客戶得以:

• 降低成本
• 創造與眾不同的產品,或為目前商品增加價值
• 研究改善設備效能的想法
• 將參數與原型轉換為大量生產
• 獲得設備技術與專業知識
• 補強內部研究成果以加速創新
• 與單一合作夥伴 (即 PARC) 就需求內容 項 已核發 / 申請中的專利, III-V 族化合物 (如 GaN), 協同合作

客戶可運用 PARC 在現場、全面整合、端對端等 方面的基礎架構、技能與經驗。我們廣泛的服務 項目包括:

• 長晶:我們的方法可擴展至符合大量生產、 最佳化、異質結構等要求
• 設備:完整的製造與原型製作、先進特性、 模型製作、設計、測試、計算物理
• 基板與材料:評估與基準評價 (磊晶測試裝 置)、計算物理
• 知識:個人化的實際操作示範與專門知識移 轉、設備分析、長晶,和製造挑戰
• 技術轉移:新進或已確立的技術 • 客戶要求

PARC 的服務項目以世界級團隊、豐富的突破性 創新技術經驗,以及全面整合的現場基礎架構為 基礎。

身在最前線

PARC 已位居此領域領導地位達數十年,且目前 仍持續領先。我們已率先完成多項壯舉 (以下列 出若干範例),為我們提供了深厚的專業知識與 實證有效的創新方法,可解決您的特定需求。

1. 氮化鎵 (GaN) 差排與延伸型缺陷的結構與 電子特性
2. 氮化銦鎵多層量子井 (InGaN MQW) 結構 的雷射二極體 (日本外首見)
3. 氮化鎵表面結構和界面活性劑的理論
4. 分佈回饋式氮化銦鎵 (DFB InGaN) 雷射二極體
5. 透過雷射剝離技術,將氮化銦鎵多層量子井雷射二極體轉印到銅基板
6. 含有整合式電吸收調變器的質值切換(Q-switched) 兩段式氮化銦鎵雷射二極體
7. 含氮化鋁鎵 (AlGaN) 多層量子井的紫外線雷射二極體
8. 使用氮化鋁 (AlN) 基板的雷射二極體
9. 銀與氧化銦錫 (ITO) 披覆氮化物半導體雷射二極體
10. 在低至 267 nm 氮化鋁上的光幫浦氮化鋁鎵多層量子井雷射

創新行動:從概念到上市

PARC 已成功將這些領先的成就與能力應用在為 商業客戶開發 LED 和 LD上。最近更與 DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 這家半導體材料 公司合作,尋求以 UV-A LED 為基礎的新業 務。DOWA 與 PARC 的關係不僅是智財授權,更 是密切合作,因而迅速取得 UV-A LED 的專門知 識、原型和技術,讓他們得以在開始與我們合作 的九個月內,就公開宣佈第一款以 UV-A LED 為 基礎的產品。不僅如此,DOWA 與 PARC 的客製 化協作,讓 DOWA 內部的 UV-A LED 研發技能 更上一層樓,以持續擴展並推動這項新業務。

採取行動

希望有效建立新 LED 或 LD 業務、擴展產品組 合,或為現有產品增加價值的潛在客戶,請立即 與 PARC 聯繫。

engage@parc.com

PARC 現場、端對端基礎架構與能力 - 實例
長晶 Aixtron 大範圍佈署的 CCS® MOCVD 系統 特殊設計的客製化 MOCVD 反應器,可以高氨分壓在近大氣壓力下成長	設備製造與原型製作 乾式蝕刻 (CAIBE 和傳統電漿蝕刻) 用於介電材料的電漿輔助化學氣相沉積系統 (PE-CVD) 金屬與高反射塗層的熱蒸/電子束/濺鍍鍍膜, 以及光微影技術 光學鍍膜 (如 DBR、AR) 雷射與 LED 元件模型製作 (如能帶結構工程、增益計算,和溫度模擬)
技術分析 材料:X 光繞射儀 (XRD)、穿透式電子顯微鏡 (TEM)、變溫光激發螢光 (PL)、原子力 顯微鏡 (AFM)、掃瞄式電子顯微鏡 (SEM)、 霍爾效應 (Hall effect)、電激發光 (EL) 裝置:I-V、L-I、脈衝偏壓測試、放射光 譜、遠場場型、使用壽命、電光轉換效 率、光學增益測量,和電吸收光譜儀	計算研究 基礎材料特性 (如氮化物半導體的缺陷與雜質) 雷射與 LED 異質結構模型製作 (如能帶結構工程、增益計算,和溫度建模)