LEDとレーザダイオードのサービス
お客様のニーズに合わせた包括的なカスタムソリューション

PARCでは、ワールドクラスの技術的専門知識、技術開発とプロトタイプ 構築が可能なインフラ、そして商業用MOCVDリアクタを使い量産への移 行を可能にする新しいプロセスを開発する能力のすべてを持ち合わせてい ます

35年以上 • 300冊以上の刊行物 • 300件以上の出願中あるいは取得済みの特許 • III-V族化合物(例、GaN)• 赤外線、可視光線、紫外線

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概要

LEDとレーザダイオード(LD)の技術は、ディスプレイ、サ イネージ、照明、材料加工、UV硬化、浄化、衛生、レーザ 印刷、画像スキャン、データ記録、バイオテクノロジー、 医療など、多数のアプリケーションに応用できるため、 市場は今後も大幅な成長が期待されています。それを 受け、材料から半導体にいたるまで様々な企業がLED やLDに関わる新事業を展開したり、既存の製品群を拡 大することを計画していると考えられます。しかし、市場 での競争が激化している中で、リスクをよりうまく管理 し、できるだけ早く市場に参入できる企業のみが成功す ると言えるでしょう。

PARCが提案するソリューション

LEDとLDの分野で世界的なリーダーでもあるPARCと 提携することで、以下のことが可能になります。

• コストを削減する
• 製品の差別化を図る、または製品価値を高める
• デバイスの性能を向上するためのアイデアを考える
• プロセスとプロトタイプを大量生産へと移行する
• デバイスの技術と専門知識を得る
• イノベーションを加速させる取り組みを補完する
• 1社のパートナー(PARC)と提携し、ニーズを満たす

お客様には、PARCの施設内にあるエンド・ツー・ エンドのインフラ、技能、そして経験をご利用いた だけます。PARCでは、次のような幅広いサービス をご用意しております。

• 成長・育成技術: 大量生産に対応可能な手 法、最適化、ヘテロ構造
• デバイス: 製造とプロトタイプ構築、高度な 特性評価、モデリング、デザイン、テスト、物 理解析
• 基板と材料: 評価とベンチマーク解析(エピ 層試験装置)、物理解析
• 知識: ニーズに合わせた実践デモンストレー ションとノウハウの教授、デバイスの解析、成 長・育成技術、製造時における課題
• 技術移管: 新しい技術あるいは実証済み技 術の移管
• その他個別のニーズに対応

PARCは、ワールドクラスの研究員で構成された チーム、革新的で深い技術経験、技術開発に必要 な設備を持ち合わせています。

技術開発の最先端

PARCは、何十年もの間この分野において先端技術を開 発しており、今日でも業界をリードし続けています。数々 の技術開発において業界初の偉業を達成することで深 い専門知識とイノベーションを起こす手法を培い、お客 様のニーズにお応えしています。PARCで開発された業 界初の技術の一例を下記に記載します。

1. GaNにおける転位と拡張欠陥の構造と電気特性
2. InGaN多重量子井戸構造(MQW)レーザダイオード(日本国外では初めて)
3. GaNの表面構造と界面活性剤の理論
4. InGaNのDFBレーザダイオート
5. レーザリフトオフ法を使って銅基板に移行させた InGaN多重量子井戸構造(MQW)レーザダイオ ート
6. 電界吸収型光変調器(EAM)が一体化されたQス イッチ2セクションInGaNレーザダイオート
7. AlGaN多重量子井戸構造(MQW)UVレーザダイオート
8. バルクAlN基板上のレーザダイオート
9. 銀クラッドとITOクラッドの窒化物半導体レーザダ イオート
10. バルクAlN基板上の光励起AlGaN多重量子井戸 構造(MQW)レーザ(波長267nm)

イノベーションの実績: コンセプトから市場参入まて

PARCでは、最先端の技術開発における実績と能力を活かし、LEDとLDの分野でお客様の技術開発を支援し てきました。例えば、半導体材料メーカーであるDOWA エレクトロニクス株式会社と提携し、同社がUV-A LED をベースにした新事業に着手するための技術支援を行 いました。DOWAはPARCと緊密に協業することにより、知的財産のライセンスだけでなく、UV-A LEDのノウハウ、プロトタイプ、技術を迅速に取得することができました。その結果、同社はPARCと協業開始後わずか9 ヵ月でUV-A LEDを使った初の製品を発表することが できました。さらに、PARCと協業するこで、DOWAは UV-A LED分野における自社の研究開発能力を高める ことができ、新事業を展開することができるようになり ました。

今すぐアクションを

LEDやLDの新事業の構築、製品ラインナップの拡大、既存の製品価値の向上などをお考えの場合は、PARC にご連絡ください。

お問い合わせ
ビジネスデベロップメント
engagejapan@parc.com

PARCの施設内にあるエンド・ツー・エンドのインフラと開発能力の一例
成長・育成技術 Aixtron社製で幅広く使われているCCS® MOCVD 装置 アンモニア分圧が高い大気圧下の成長を目的に設計 された、カスタムメイドのMOCVDリアクタ	デバイスの製造とプロトタイプ構築 ドライエッチング(ケミカルアシスト型イオンビームエッチ ング(CAIBE)と従来型プラズマエッチング) 誘電体のPE-CVD 金属と高反射膜コーティングの熱蒸着・電子ビーム蒸着・スパッタ蒸着、フォトリソグラフィ 光学コーティング(例、DBR、AR) レーザとLEDのデバイスモデリング(例、バンド構造エンジニアリング、利得計算、熱モデリング)
特性評価手法 材料: XRD、TEM、温度可変PL、AFM、SEM、ホー ル効果、EL デバイス: I-V特性、L-I特性、パルスバイアスのテス ト、発光スペクトル、遠視野像、素子寿命、電力変換 効率(WPE、Wall-Plug Efficiency)、光学利得測 定、電界吸収分光 高度技術: LED性能基準(例、IQE)、L-I-Vアレイの 自動テスト(モード特性、高分解能分光法)、レーザ の光励起	物理解析 基礎的な材料特性(例、窒化物半導体の欠陥と不純物) レーザとLEDのヘテロ構造モデリング(例、バンド構造エンジニアリング、利得計算、熱モデリング)