オプトエレクトロニクスデバイス

PARCのオプトエレクトロニクスデバイス研究により当社のパートナーは、Ⅲ族窒化物半導体(InGaAlN)に関わる物理学・材料科学についての深い理解といった恩恵を得られます。この理解は、窒化物エミッターの設計、成長、加工、および試験に関する広範な経験と、デバイスのイノベーションについてのわれわれの強力な実績の礎となっています。

PARCのR&Dは、材料とデバイスに関わる重要な課題の特定に力を入れています。また、ソリューションの発明、実践への還元、プロトタイプの実演、技術刊行物や取得済特許に示される通りの知的財産の取得もしています。これらは、組み合わせにより、差別化され、市場を揺るがすような技術に基づく製品を商業化することを狙うクライアントに向けて、専門性、資源、そしてIPを提供することを可能にしています。

われわれは、1994年にGaN MOCVD結晶成長装置を導入して以来、窒化物オプティカルエミッターの優れたパフォーマンスを実現する新たな方法を特定し、実証することについての先導者であり続けてきました。より最近には、当研究所のサイエンティストが、世界記録を塗り替えるデバイスパフォーマンスを持って、UVスペクトル域におけるLEDおよびレーザーを世界に先駆けて開発しました。

当研究所の持つ経験、リソース、および知識は、われわれがソリッドステート照明やディスプレイ、その他密接に関連する技術のパフォーマンスを革新・改善すること、また、世界中の会社に向けてハイパフォーマンスな可視ないしUVレーザーを供給することを可能としています。

オプトエレクトロニクス用クリーンルームとリソースサービス：

当研究所は、広く多様なアクティブオプトエレクトロニックデバイスの設計と加工のためのプロセスを、全体として開発してきました。われわれの施設は、メーカーに移管可能な新規光源ないしシステムのプロトタイプ化のための、資金提供を受けたR&Dないしクライアント向けの製品開発を支援します。

更なる詳細はInformation sheetsのCleanroom Servicesに記載されています。